Идва ли краят на силициевата ера

Силициевата ера започва през втората половина на ХХ век с откритието на транзисторите на базата на полупроводниковите материали, припомни проф. Евгения Вълчева в предаването "Следобед за любопитните". Прави се аналогия с историческите ери, през които преминава човечеството – каменна, медна и т.н., разясни тя. Последните 50-60 години основният материал, който движи човечеството, е силицият и за това условно се говори за "силициева ера", става ясно в разговора. Поради уникалните си свойства силицият се е наложил като доминиращ материал в развитието на интегралното приборостроене. 

Производството на интегрални схеми следва през годините ход на непрекъсната миниатюризация с цел повишаване на бързодействието, успоредно с намаляване на консумацията на енергия. С достигане в последните години до безпрецедентни размери от няколко нанометра възникват ограничения от фундаментален  физичен характер, които изискват нови идеи и подходи. 

Проф. Вълчева припомня, че първият транзистор е направен от германий, но силицият е най-разпространеният елемент в природата, най-лесно достъпен за извличане и обработка е силицият, и за това той се употребява в момента. Този елемент има и най-добри физически свойства, което го прави и най-търсен в електрониката, допълни проф. Вълчева. Галевият арсенит и галевият нитрит са с по-добри свойства от силиция, те също се изследват и използват, но за някои по-специални приложения.

За новите възможности и търсения на учените, както и "кога да очакваме края на силициевата ера", подробности в звуковия файл.

Проф. д.фз.н. Евгения Вълчева е дългогодишен преподавател във Физическия факултет на СУ "Св. Климент Охридски" и заместник-председател на Съюза на физиците в България. 

Научните интереси на проф. Евгения Вълчева са в областта на електронните, фононните и структурните свойства на полупроводникови материали, които са основата на съвременното приборостроене, микро- и наноелектроника и оптоелектроника. 

Предмет на изследванията ѝ са свойства на тънки слоеве, интерфейси полупроводник-диелектрик, хетероинтерфейси, квантоворазмерни многослойни структури – мултиквантови ями и свръхрешетки, наночастици и нанокомпозити.

Снимка – Уикипедия и личен архив